Varunummer: 3103448

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Utan värmespridare - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, överföringshastighet: 7450 MB/s (läs) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1400000 IOPS (läs) / 1550000 IOPS (skriv), 4GB LPDDR4 RAM, storlek: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 förbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hårdvarukryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, färg: black

Läs mer
I lager
7 990,00 kr 6 392,00 kr exkl. moms
Gratis frakt
15+ st. I lager, 1-2 vardagars förväntad leveranstid

För att se detta innehåll måste du acceptera cookies

Hantera cookieinställningar
På grund av stor efterfrågan är det en begränsning på 2st per kund, då vi vill tillgodose så många som möjligt.

Kontakta kundtjänst för förfrågan på ett större antal än tillåtet.

Samsung 990 PRO solid state-enhet kombinerar högkapacitetslagring, snabba dataöverföringshastigheter och avancerade säkerhetsfunktioner till en pålitlig och effektiv lagringslösning. Med en kapacitet på 4 TB erbjuder den gott om utrymme för stora digitala bibliotek, medan PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-gränssnittet säkerställer snabb dataåtkomst och överföringshastigheter på upp till 7450 MBps läsning och 6900 MBps skrivning. Avancerad säkerhet tillhandahålls genom 256-bitars AES-hårdvarukryptering, vilket skyddar känslig data mot obehörig åtkomst. Dessutom säkerställer funktioner som Dynamic Thermal Guard-skydd och låga energiförbrukningslägen att enheten fungerar effektivt och säkert, vilket gör den till ett idealiskt val för krävande applikationer och multitasking-miljöer.

Producent
Varunummer
3103448
Modell
MZ-V9P4T0BW
EAN
8806094947205
Till producentens hemsida
Kontakta tillverkaren
Produktbeskrivning
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
4 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
NAND-flashminnestyp
MLC (multi-level cell)
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaper
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB DDR4 SDRAM cache med låg effekt, TRIM-support, Garbage Collection-teknik, Device Sleep-stöd, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Dimensioner (BxDxH)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vikt
9 g

Allmänt

Typ av enhet
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
4 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
NAND-flashminnestyp
MLC (multi-level cell)
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaper
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB DDR4 SDRAM cache med låg effekt, TRIM-support, Garbage Collection-teknik, Device Sleep-stöd, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Bredd
22 mm
Djup
80 mm
Höjd
2.3 mm
Vikt
9 g

Prestanda

Intern datafrekvens
7450 MBps (läs)/ 6900 MBps (skriv)
Maximalt 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Max 4kB random read
1600000 IOPS

Pålitlighet

MTBF (genomsnittstid mellan fel)
1,500,000 timmar

Expansion och anslutningar

Gränssnitt
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack
M.2 2280

Strömtillförsel

Strömkonsumtion
5.5 watt (genomsnitt)
55 mW (inaktiv)

Programvara & Systemkrav

Medföljande programvara
Samsung Magician Software

Diverse

Standarder som följs
IEEE 1667

Miljöparametrar

Min temperatur vid drift
0 °C
Max temperatur vid drift
70 °C
Stöttolerans (vid drift)
0,5 ms halvsinus
Stöttolerans (i vila)
1500 g

Ovanstående information och specifikationer är vägledande och kan utan förvarning ändras av producenten. Alla uppgifter lämnas med reservation för tryckfel, och bilder är vägledande. Vissa texter kan vara autogenererade eller maskinöversatta och kan därför ge texter som kan vara missvisande.