Varunummer: 3198219

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Med värmespridare - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, överföringshastighet: 7450 MB/s (läs) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1400000 IOPS (läs) / 1550000 IOPS (skriv), 4GB LPDDR4 RAM, storlek: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 förbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hårdvarukryptering: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage kompatibel, Samsung Pascal S4LV008 controller, OBS! Bulkförpackad (utan tillbehör), färg: sort

Gratis frakt
2 st. I lager, 1-2 vardagars förväntad leveranstid

The Samsung 990 PRO solid state drive combines high-capacity storage, fast speeds, and advanced security measures to meet the needs of demanding data environments. With a 4 TB capacity and a 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, it offers ample space and quick access to your data. The drive's PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures rapid data transfer rates, making it ideal for intensive applications and multitasking.

Designed for durability, the Samsung 990 PRO features an integrated heatsink to maintain optimal temperatures and supports S.M.A.R.T., TRIM, and Device Sleep technologies for enhanced efficiency and longevity. Its 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0 provide secure data protection, making it a trustworthy choice for sensitive information. Whether for professional or personal use, this SSD delivers performance, reliability, and security.

Producent
Varunummer
3198219
Modell
MZ-V9P4T0CW / GW
EAN
8806094946857
Kontakta tillverkaren
Produktbeskrivning
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
4 TB
Integrerad kylfläns
Ja
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaper
TRIM-support, Device Sleep-stöd, Garbage Collection-teknik, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB DDR4 SDRAM cache med låg effekt, S.M.A.R.T.
Dimensioner (BxDxH)
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Vikt
28 g

Allmänt

Typ av enhet
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
4 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
Integrerad kylfläns
Ja
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaper
TRIM-support, Device Sleep-stöd, Garbage Collection-teknik, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB DDR4 SDRAM cache med låg effekt, S.M.A.R.T.
Bredd
25 mm
Djup
80.15 mm
Höjd
8.88 mm
Vikt
28 g

Prestanda

Intern datafrekvens
7450 MBps (läs)/ 6900 MBps (skriv)
Maximalt 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Max 4kB random read
1600000 IOPS

Pålitlighet

MTBF (genomsnittstid mellan fel)
1,500,000 timmar

Expansion och anslutningar

Gränssnitt
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack
M.2 2280

Strömtillförsel

Strömkonsumtion
6.5 watt (genomsnitt)
55 mW (inaktiv)

Programvara & Systemkrav

Medföljande programvara
Samsung Magician Software

Diverse

Standarder som följs
IEEE 1667

Miljöparametrar

Min temperatur vid drift
0 °C
Max temperatur vid drift
70 °C
Stöttolerans (i vila)
1500 g

Ovanstående information och specifikationer är vägledande och kan utan förvarning ändras av producenten. Alla uppgifter lämnas med reservation för tryckfel, och bilder är vägledande. Vissa texter kan vara autogenererade eller maskinöversatta och kan därför ge texter som kan vara missvisande.