Varunummer: 3303621

Samsung 990 EVO Plus SSD - 2TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 2 TB, intern, överföringshastighet: 7250 MB/s (läs) / 6300 MB/s (skriv), IOPS: 1000000 IOPS (läs) / 1350000 IOPS (skriv), storlek: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 förbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

I lager
4 390,00 kr 3 512,00 kr exkl. moms
Gratis frakt
15+ st. I lager, 1-2 vardagars förväntad leveranstid

Samsung 990 EVO Plus är en intern solid state-enhet designad för krävande applikationer. Med en robust kapacitet på 1 TB säkerställer den tillräcklig lagring för en mängd olika filer och applikationer. Enheten använder PCI Express 5.0 och har interna datahastigheter på upp till 7150 MBps, vilket möjliggör snabb datahämtning och minimala laddningstider. Samsungs V-NAND TLC-teknik förbättrar prestanda och hållbarhet, vilket gör den lämplig både för vardaglig användning och intensiva uppgifter. Denna enhet är designad för att tåla olika miljöförhållanden, fungerar effektivt i temperaturer från 0°C till 70°C och klarar lagringstemperaturer så låga som -40°C och så höga som 85°C. Den har stöd för TRIM och en automatisk skräpfilssamlingalgoritm, vilket säkerställer optimal prestanda över tid. Säkerheten prioriteras med hårdvaru-kryptering och efterlevnad av TCG Opal Encryption 2.0, vilket skyddar data mot obehörig åtkomst.

Producent
Varunummer
3303621
Modell
MZ-V9S2T0BW
EAN
8806095575650
Kontakta tillverkaren
Produktbeskrivning
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
2 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
NAND-flashminnestyp
Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaper
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-stöd, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensioner (BxDxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vikt
9 g

Allmänt

Typ av enhet
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
2 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
NAND-flashminnestyp
Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaper
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-stöd, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredd
22.15 mm
Djup
80.15 mm
Höjd
2.38 mm
Vikt
9 g

Prestanda

Intern datafrekvens
7250 MBps (läs)/ 6300 MBps (skriv)
Maximalt 4 KB Random Write
1350000 IOPS
Max 4kB random read
1000000 IOPS

Pålitlighet

MTBF (genomsnittstid mellan fel)
1.500.000 timmar

Expansion och anslutningar

Kompatibelt fack
M.2 2280

Strömtillförsel

Strömkonsumtion
4.6 watt (läs)
4.2 watt (skriv)
60 mW (viloläge)
5 mW (viloläge)

Programvara & Systemkrav

Medföljande programvara
Samsung Magician Software

Diverse

Material
Nickelbeläggning

Miljöparametrar

Min temperatur vid drift
0 °C
Max temperatur vid drift
70 °C
Stöttolerans (i vila)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (i vila)
20 g @ 20-2000 Hz

Ovanstående information och specifikationer är vägledande och kan utan förvarning ändras av producenten. Alla uppgifter lämnas med reservation för tryckfel, och bilder är vägledande. Vissa texter kan vara autogenererade eller maskinöversatta och kan därför ge texter som kan vara missvisande.