Varunummer: 3521712
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - Data Centre Read Intensive - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, datacenter, läsningsintensiv, krypterat, 1920 GB, inbyggd, E3.S, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
34 548,00 kr
27 638,40 kr exkl. moms
Gratis frakt
Beställningsvara, 12-13 vardagar leveranstid
KIOXIA CD9P-R-serien KCD9DPJE1T92 är en SSD för datacenter som är utformad för läsintensiva arbetsbelastningar som kräver tillförlitlig lagring med hög genomströmning. Den levererar snabb NVMe-prestanda via ett PCI Express 5.0 x4-gränssnitt för att påskynda storskaliga läsoperationer, samtidigt som den erbjuder en kapacitet på 1,92 TB för att hantera omfattande datamängder. Formfaktorn E3.S och de robusta miljötoleranserna gör enheten lämplig för täta, rackmonterade miljöer där utrymmeseffektivitet och hållbarhet är viktiga faktorer.Inbyggda dataskyddsfunktioner, såsom end-to-end-dataskydd, strömavbrottsskydd och hårdvarukryptering med självkrypterande enhet (SED), bidrar till att skydda lagrad information och förenkla efterlevnaden av säkerhetskrav. Med tillförlitlighet i företagsklass, hög MTBF-klassning och uthållighet utformad för läsintensiv användning riktar sig enheten till operatörer som behöver jämn prestanda, effektiv energianvändning och långsiktig driftsäkerhet i produktionsdatacenter.
Producent
Varunummer
3521712
Modell
KCD9DPJE1T92
EAN
4582761163157
Till producentens hemsida
Kontakta tillverkaren
Produktbeskrivning
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - datacenter, läsningsintensiv - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
1920 GB
Maskinvarukryptering
Ja
NAND-flashminnestyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S
Gränssnitt
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Drivenhetsklass
Datacenter, läsningsintensiv
Egenskaper
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS flash, Strömförlustskydd (PLP), End-to-end-dataskydd
Dimensioner (BxDxH)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Vikt
110 g
Allmänt
Typ av enhet
SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet
1920 GB
Maskinvarukryptering
Ja
NAND-flashminnestyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S
Gränssnitt
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaper
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS flash, Strömförlustskydd (PLP), End-to-end-dataskydd
Bredd
76 mm
Djup
112.75 mm
Höjd
7.5 mm
Vikt
110 g
Prestanda
Antal skrivningar per dag (DWPD)
1
Drivenhetsklass
Datacenter, läsningsintensiv
Intern datafrekvens
14500 MBps (läs)/ 3600 MBps (skriv)
4 KB Random Read
2000000 IOPS
4 KB Random Write
160000 IOPS
Pålitlighet
MTBF (genomsnittstid mellan fel)
2,500,000 timmar
Expansion och anslutningar
Gränssnitt
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack
E3.S
Strömtillförsel
Nätspänning
12 V
Strömkonsumtion
23 watt (aktiv)
5 watt (inaktiv)
5 watt (inaktiv)
Miljöparametrar
Min temperatur vid drift
0 °C
Max temperatur vid drift
76 °C
Min temperatur vid förvaring
-40 °C
Max temperatur vid förvaring
85 °C
Luftfuktighet vid drift
5 - 95% RH
Stöttolerans (vid drift)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (vid drift)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Ovanstående information och specifikationer är vägledande och kan utan förvarning ändras av producenten. Alla uppgifter lämnas med reservation för tryckfel, och bilder är vägledande. Vissa texter kan vara autogenererade eller maskinöversatta och kan därför ge texter som kan vara missvisande.