Hjälp

MZ-N6E250BW - Samsung 860 EVO M.2 2280 SSD - 250GB

Samsung 860 EVO M.2 2280 SSD - 250GB

SSD (Solid state drive), 250 GB, intern, Överföringshastighet: 550 MBps (läs) / 520 MBps (skriv), IOPS: 97000 (läs) / 88000 (skriv), 512 MB LPDDR4 cache, M.2 2280 (80mm) - Samsung 3-core MJX Controller

Varunummer: 2634281
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
505,00 kr
404,00 kr exkl. moms
Leverantör, 3-5 vardagar leveranstid
Billigaste frakt: 59,00 kr

Detaljer

Producent: Samsung
Varunummer: 2634281
Modell: MZ-N6E250BW
EAN: 8801643068684

Till producentens hemsida

www.samsung.com/dk/memory-stor...
ProduktbeskrivningSamsung 860 EVO MZ-N6E250BW - solid state drive - 250 GB - SATA 6Gb/s
TypSolid state drive - inbyggd
Kapacitet250 GB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestyp3D MLC
FormfaktorM.2 2280
GränssnittSATA 6Gb/s
Dataöverföringshastighet600 MBps
Buffertstorlek512 MB
EgenskaperStöttålig, TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256 bitars AES, IEEE 1667
Dimensioner (BxDxH)22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vikt8 g

Allmänt

Typ av enhet Solid state drive - inbyggd
Kapacitet 250 GB
Maskinvarukryptering Ja
Krypteringsalgoritm 256 bitars AES
NAND-flashminnestyp 3D MLC
Formfaktor M.2 2280
Gränssnitt SATA 6Gb/s
Buffertstorlek 512 MB
Egenskaper Stöttålig, TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256 bitars AES, IEEE 1667
Bredd 22.15 mm
Djup 80.15 mm
Höjd 2.38 mm
Vikt 8 g

Prestanda

SSD-hållbarhet 150 TB
Hårddiskens överföringshastighet 600 MBps (extern)
Intern datafrekvens 550 MBps (läs)/ 520 MBps (skriv)
Maximalt 4 KB Random Write 88000 IOPS
Max 4kB random read 97000 IOPS

Pålitlighet

MTBF (genomsnittstid mellan fel) 1,500,000 timmar

Expansion och anslutningar

Gränssnitt 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibelt fack M.2 2280

Strömtillförsel

Strömkonsumtion 2.2 Watt (genomsnitt)
4 Watt (max)
Innovative V-NAND Technology with Enhanced Read/Write Performance.

Ovanstående information och specifikationer är vägledande och kan utan förvarning ändras av producenten
Alla uppgifter lämnas med reservation för tryckfel, och bilder är vägledande.